Bipolartransistor 2SA1007A-p

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
• Verlustleistung, max: 100 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 160 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1007A-p kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1007A liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SA1007A-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1007A-R im Bereich von 60 bis 120, die des 2SA1007A-S im Bereich von 40 bis 80.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1007A-p-Transistor könnte nur mit "A1007A-p" gekennzeichnet sein.Sie können den Transistor 2SA1007A-p durch einen 2SA908, 2SA909, 2SB697K, 2SB697K-F oder 2SB722 ersetzen.