Bipolartransistor 2SA679

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA679

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 6 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2SA679

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA679 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA679-R liegt im Bereich von 40 bis 80, die des 2SA679-Y im Bereich von 70 bis 140.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA679-Transistor könnte nur mit "A679" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA679 ist der 2SC1079.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA679

Sie können den Transistor 2SA679 durch einen 2SA1041, 2SA1043, 2SA908, 2SA909, 2SB554, 2SB555, 2SB556, 2SB697, 2SB697K, 2SB723, MJ15002, MJ15002G, MJ15004 oder MJ15004G ersetzen.
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