Bipolartransistor 2SB600-R

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
• Verlustleistung, max: 200 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 120
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB600-R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB600 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SB600-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB600-S im Bereich von 40 bis 80.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB600-R-Transistor könnte nur mit "B600-R" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB600-R ist der 2SD555-R.Sie können den Transistor 2SB600-R durch einen 2SA909, 2SB706A, 2SB706A-R, 2SB723, 2SB723-B, MJ15012 oder MJ15012G ersetzen.