Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1366-E
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -55 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.4 A
Verlustleistung, max: 0.15 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 150 bis 300
Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des 2SA1366-E
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1366-E kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1366 liegt im Bereich von 90 bis 500, die des 2SA1366-D im Bereich von 90 bis 180, die des 2SA1366-F im Bereich von 250 bis 500.
Kennzeichnung
Der 2SA1366-E-Transistor ist als "CE" gekennzeichnet.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1366-E ist der 2SC3441-E.