Bipolartransistor 2SA1366-E

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1366-E

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -55 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.4 A
  • Verlustleistung, max: 0.15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 150 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des 2SA1366-E

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1366-E kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1366 liegt im Bereich von 90 bis 500, die des 2SA1366-D im Bereich von 90 bis 180, die des 2SA1366-F im Bereich von 250 bis 500.

Kennzeichnung

Der 2SA1366-E-Transistor ist als "CE" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1366-E ist der 2SC3441-E.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1366-E

Sie können den Transistor 2SA1366-E durch einen 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, 2SB710A, FMMT2907A, FMMT2907AR, FMMT591, FMMT591Q, FMMTA55, FMMTA56, KN2907AS, KST2907A, KST55, KST56, KTN2907AS, MMBT2907A, MMBT4354, MMBT4355, MMBTA55, MMBTA56, PMBT2907A, PMBTA56, PMST2907A, SMBTA55 oder SMBTA56 ersetzen.
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