Bipolartransistor 2SA1366-D

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1366-D

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -55 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.4 A
  • Verlustleistung, max: 0.15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 180
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des 2SA1366-D

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1366-D kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1366 liegt im Bereich von 90 bis 500, die des 2SA1366-E im Bereich von 150 bis 300, die des 2SA1366-F im Bereich von 250 bis 500.

Kennzeichnung

Der 2SA1366-D-Transistor ist als "CD" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1366-D ist der 2SC3441-D.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1366-D

Sie können den Transistor 2SA1366-D durch einen 2SA1313, 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, 2SB710A, FMMTA55, FMMTA56, KST55, KST56, MMBT4354 oder MMBT4356 ersetzen.
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