Bipolartransistor 2SA1366-D
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1366-D
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -55 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.4 A
- Verlustleistung, max: 0.15 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 180
- Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des 2SA1366-D
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1366-D
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