Caractéristiques électriques du transistor MPS6651G
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
Tension collecteur-base maximum: -25 V
Tension émetteur-base maximum: -4 V
Courant collecteur continu maximum: -1 A
Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
Gain de courant (hfe): 50
Fréquence de transition minimum: 100 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Le MPS6651G est la version sans plomb du transistor MPS6651
Brochage du MPS6651G
Le MPS6651G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor MPS6651G
Le transistor NPN complémentaire du MPS6651G est le MPS6601G.