Transistor bipolaire 2SB766-S

Caractéristiques électriques du transistor 2SB766-S

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 170 à 340
  • Fréquence de transition minimum: 200 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du 2SB766-S

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB766-S peut avoir un gain en courant continu de 170 à 340. Le gain en courant continu du 2SB766 est compris entre 85 à 340, celui du 2SB766-Q entre 85 à 170, celui du 2SB766-R entre 120 à 240.

Marquage

Le transistor 2SB766-S est marqué "AS".

Complémentaire du transistor 2SB766-S

Le transistor NPN complémentaire du 2SB766-S est le 2SD874-S.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB766-S

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB766-S par 2SB1115, 2SB1121, 2SB1122, 2SB1123, 2SB1124, 2SB766A, 2SB766A-S ou 2STF2550.
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