Transistor bipolaire MPS8550B

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
• Tension collecteur-base maximum: -40 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 85 à 160
• Fréquence de transition minimum: 200 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le MPS8550B est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MPS8550B peut avoir un gain en courant continu de 85 à 160. Le gain en courant continu du MPS8550 est compris entre 85 à 300, celui du MPS8550C entre 120 à 200, celui du MPS8550D entre 160 à 300.Le transistor NPN complémentaire du MPS8550B est le MPS8050B.Le MMBT3702 (SOT-23), MPS8550S (SOT-23) et MPS8550S-B (SOT-23) est la version SMD du transistor MPS8550B.Vous pouvez remplacer le transistor MPS8550B par MPS750, MPS750G, SS8550 ou SS8550B.