Transistor bipolaire ZTX789A

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
• Tension collecteur-base maximum: -25 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -3 A
• Dissipation de puissance maximum: 1.5 W
• Gain de courant (h_fe): 250
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +200 °C
• Boîtier: TO-92

Le ZTX789A est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le 2SB1121-U (SOT-89) est la version SMD du transistor ZTX789A.