Transistor bipolaire SS8550

Caractéristiques électriques du transistor SS8550

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
  • Tension collecteur-base maximum: -40 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 85 à 300
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du SS8550

Le SS8550 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor SS8550 peut avoir un gain en courant continu de 85 à 300. Le gain en courant continu du SS8550B est compris entre 85 à 160, celui du SS8550C entre 120 à 200, celui du SS8550D entre 160 à 300.

Complémentaire du transistor SS8550

Le transistor NPN complémentaire du SS8550 est le SS8050.

Version SMD du transistor SS8550

Le MMBT3702 (SOT-23) et MPS8550S (SOT-23) est la version SMD du transistor SS8550.

Substituts et équivalents pour le transistor SS8550

Vous pouvez remplacer le transistor SS8550 par MPS750, MPS750G ou MPS8550.
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