Transistor bipolaire 2SB766-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SB766-R

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 120 à 240
  • Fréquence de transition minimum: 200 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du 2SB766-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB766-R peut avoir un gain en courant continu de 120 à 240. Le gain en courant continu du 2SB766 est compris entre 85 à 340, celui du 2SB766-Q entre 85 à 170, celui du 2SB766-S entre 170 à 340.

Marquage

Le transistor 2SB766-R est marqué "AR".

Complémentaire du transistor 2SB766-R

Le transistor NPN complémentaire du 2SB766-R est le 2SD874-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB766-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB766-R par 2DA1213, 2DA1213Y, 2SA1203, 2SA1213, 2SA1213-Y, 2SB1121, 2SB1122, 2SB1123, 2SB1124, 2SB766A, 2SB766A-R, 2STF2550, BCX51, BCX51-16 ou KTA1663.
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