Transistor bipolaire M8550-B

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
• Tension collecteur-base maximum: -40 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -1 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 80 à 160
• Fréquence de transition minimum: 150 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le M8550-B est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor M8550-B peut avoir un gain en courant continu de 80 à 160. Le gain en courant continu du M8550 est compris entre 80 à 300, celui du M8550-C entre 120 à 200, celui du M8550-D entre 160 à 300.Le MMBT3702 (SOT-23) est la version SMD du transistor M8550-B.Vous pouvez remplacer le transistor M8550-B par 2SB564A, KSB564A, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG ou MPSW51G.