Transistor bipolaire MPSW51
Caractéristiques électriques du transistor MPSW51
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
- Tension collecteur-base maximum: -40 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -1 A
- Dissipation de puissance maximum: 1 W
- Gain de courant (hfe): 60
- Fréquence de transition minimum: 50 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du MPSW51
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor MPSW51
Version SMD du transistor MPSW51
Substituts et équivalents pour le transistor MPSW51
Version sans plomb
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