Transistor bipolaire MPSW51G
Caractéristiques électriques du transistor MPSW51G
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
- Tension collecteur-base maximum: -40 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -1 A
- Dissipation de puissance maximum: 1 W
- Gain de courant (hfe): 60
- Fréquence de transition minimum: 50 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Le MPSW51G est la version sans plomb du transistor MPSW51
Brochage du MPSW51G
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor MPSW51G
Version SMD du transistor MPSW51G
Substituts et équivalents pour le transistor MPSW51G
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