Transistor bipolaire MPSW51G

Caractéristiques électriques du transistor MPSW51G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -40 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 60
  • Fréquence de transition minimum: 50 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Le MPSW51G est la version sans plomb du transistor MPSW51

Brochage du MPSW51G

Le MPSW51G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MPSW51G

Le transistor NPN complémentaire du MPSW51G est le MPSW01G.

Version SMD du transistor MPSW51G

Le 2SA1036 (SOT-23), 2SA1036-P (SOT-23), 2SA1036-Q (SOT-23), 2SA1036-R (SOT-23), BCW67 (SOT-23), BCW67A (SOT-23), BCW67B (SOT-23) et BCW67C (SOT-23) est la version SMD du transistor MPSW51G.

Substituts et équivalents pour le transistor MPSW51G

Vous pouvez remplacer le transistor MPSW51G par BC527-10, BC527-16, BC527-25, MPS4355, MPS750, MPS750G, MPS751, MPS751G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW63, MPSW64, ZTX549, ZTX550, ZTX790A, ZTX949 ou ZTX951.
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