Transistor bipolaire 2N3055H

Caractéristiques électriques du transistor 2N3055H

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 115 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 70
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2N3055H

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N3055H

Vous pouvez remplacer le transistor 2N3055H par 2N3055, 2N3055A, 2N3055AG, 2N3055G, 2N5039, 2N5630, 2N5671, 2N5672, 2N5881, 2N5882, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, 2N6471, 2N6472, BD130, BD182, BD183, KD502, KD503, MJ14000, MJ14000G, MJ14002, MJ14002G, MJ15015, MJ15015G ou NTE130.
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