Transistor bipolaire MJ14002G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 80 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 60 A
• Dissipation de puissance maximum: 300 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 100
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3
• Le MJ14002G est la version sans plomb du transistor MJ14002

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJ14002G est le MJ14003G.Vous pouvez remplacer le transistor MJ14002G par MJ14002.