Transistor bipolaire MJ14000G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 60 A
• Dissipation de puissance maximum: 300 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 100
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3
• Le MJ14000G est la version sans plomb du transistor MJ14000

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJ14000G est le MJ14001G.Vous pouvez remplacer le transistor MJ14000G par MJ14000, MJ14002 ou MJ14002G.