Transistor bipolaire MJ14002

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 80 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 60 A
• Dissipation de puissance maximum: 300 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 100
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJ14002 est le MJ14003.Vous pouvez remplacer le transistor MJ14002 par MJ14002G.Le transistor MJ14002G est la version sans plomb du MJ14002.