Transistor bipolaire MJ14000

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 60 A
• Dissipation de puissance maximum: 300 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 100
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJ14000 est le MJ14001.Vous pouvez remplacer le transistor MJ14000 par MJ14000G, MJ14002 ou MJ14002G.Le transistor MJ14000G est la version sans plomb du MJ14000.