Transistor bipolaire 2N5885G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 25 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 100
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3
• Le 2N5885G est la version sans plomb du transistor 2N5885

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du 2N5885G est le 2N5883G.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5885G par 2N5671, 2N5672, 2N5885, 2N5886, 2N5886G, MJ14000, MJ14000G, MJ14002 ou MJ14002G.