Transistor bipolaire 2N5630

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
• Tension collecteur-base maximum: 120 V
• Tension émetteur-base maximum: 7 V
• Courant collecteur continu maximum: 16 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 80
• Fréquence de transition minimum: 1 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du 2N5630 est le 2N6030.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5630 par 2N5038, 2N5038G, 2N5039 ou 2N5672.