Transistor bipolaire 2N5630
Caractéristiques électriques du transistor 2N5630
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
- Tension collecteur-base maximum: 120 V
- Tension émetteur-base maximum: 7 V
- Courant collecteur continu maximum: 16 A
- Dissipation de puissance maximum: 200 W
- Gain de courant (hfe): 20 à 80
- Fréquence de transition minimum: 1 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
- Boîtier: TO-3
Brochage du 2N5630
Complémentaire du transistor 2N5630
Substituts et équivalents pour le transistor 2N5630
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