Transistor bipolaire 2N3055G

Caractéristiques électriques du transistor 2N3055G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 115 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 70
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3
  • Le 2N3055G est la version sans plomb du transistor 2N3055

Brochage du 2N3055G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N3055G

Le transistor PNP complémentaire du 2N3055G est le MJ2955G.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N3055G

Vous pouvez remplacer le transistor 2N3055G par 2N3055, 2N3055A, 2N3055AG, 2N3055H, 2N5039, 2N5630, 2N5671, 2N5672, 2N5881, 2N5882, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, 2N6471, 2N6472, BD130, BD182, BD183, KD502, KD503, MJ14000, MJ14000G, MJ14002, MJ14002G, MJ15015, MJ15015G ou NTE130.
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