Transistor bipolaire 2N5671

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 90 V
• Tension collecteur-base maximum: 120 V
• Tension émetteur-base maximum: 7 V
• Courant collecteur continu maximum: 30 A
• Dissipation de puissance maximum: 140 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 100
• Fréquence de transition minimum: 40 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5671 par 2N5672.