Bipolartransistor KSH772-G

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSH772-G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB772GR transistor

Pinbelegung des KSH772-G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSH772-G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSH772 liegt im Bereich von 60 bis 400, die des KSH772-O im Bereich von 100 bis 200, die des KSH772-R im Bereich von 60 bis 120, die des KSH772-Y im Bereich von 160 bis 320.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSH772-G ist der KSH882-G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSH772-G

Sie können den Transistor KSH772-G durch einen 2SA2196, 2SA2197, 2SB1143, 2SB1143-T, 2SB1165, 2SB1165-T, 2SB1166, 2SB1166-T, 2SB772, 2SB772E, 2SB772GR, 2SB986, 2SB986-T, BD132, BD186, BD188, BD190, KSB772, KSB772-G, KTB772, KTB772-GR, MJE232, MJE235 oder MJE370 ersetzen.
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