Bipolartransistor KTB772

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SB772 transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KTB772 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTB772-GR liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KTB772-O im Bereich von 100 bis 200, die des KTB772-Y im Bereich von 160 bis 320.Der komplementäre NPN-Transistor zum KTB772 ist der KTD882.Sie können den Transistor KTB772 durch einen 2SB1143, 2SB1165, 2SB1166, 2SB772, 2SB986, BD132, BD186, BD188, BD190, KSB772, KSH772, MJE232, MJE235 oder MJE370 ersetzen.