Bipolartransistor 2SB1143

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1143

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 560
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB1143

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1143 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1143-R liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1143-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SB1143-T im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB1143-U im Bereich von 280 bis 560.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1143-Transistor könnte nur mit "B1143" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1143 ist der 2SD1683.

SMD-Version des Transistors 2SB1143

Der 2SB1123 (SOT-89) und 2SB1124 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SB1143-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1143

Sie können den Transistor 2SB1143 durch einen 2SB986, BD190, MJE235, MJE252 oder MJE254 ersetzen.
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