Bipolartransistor KSB772
Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB772
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
- Verlustleistung, max: 10 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 400
- Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SB772 transistor
Pinbelegung des KSB772
Klassifizierung von hFE
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor KSB772
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com