Bipolartransistor KSB772-G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SB772GR transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSB772-G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB772 liegt im Bereich von 60 bis 400, die des KSB772-O im Bereich von 100 bis 200, die des KSB772-R im Bereich von 60 bis 120, die des KSB772-Y im Bereich von 160 bis 320.Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB772-G ist der KSD882-G.Sie können den Transistor KSB772-G durch einen 2SA2196, 2SA2197, 2SB1143, 2SB1143-T, 2SB1165, 2SB1165-T, 2SB1166, 2SB1166-T, 2SB772, 2SB772E, 2SB772GR, 2SB986, 2SB986-T, BD132, BD186, BD188, BD190, KSH772, KSH772-G, KTB772, KTB772-GR, MJE232, MJE235 oder MJE370 ersetzen.