Bipolartransistor KSH882-G

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSH882-G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD882GR transistor

Pinbelegung des KSH882-G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSH882-G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSH882 liegt im Bereich von 60 bis 400, die des KSH882-O im Bereich von 100 bis 200, die des KSH882-R im Bereich von 60 bis 120, die des KSH882-Y im Bereich von 160 bis 320.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSH882-G ist der KSH772-G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSH882-G

Sie können den Transistor KSH882-G durch einen 2SC2270, 2SC3420, 2SC3420-GL, 2SC6101, 2SC6102, 2SD1348, 2SD1348-T, 2SD1683, 2SD1683-T, 2SD1722, 2SD1722-R, 2SD1723, 2SD1723-R, 2SD882, 2SD882E, 2SD882GR, BD131, BD185, BD187, BD189, BDX35, BDX36, KSD882, KSD882-G, KTD882, KTD882-GR, MJE222, MJE225 oder MJE520 ersetzen.
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