Bipolartransistor 2SB1165

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1165

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB1165

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1165 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1165-Q liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB1165-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1165-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SB1165-T im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1165-Transistor könnte nur mit "B1165" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1165 ist der 2SD1722.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1165

Sie können den Transistor 2SB1165 durch einen 2SB1166 ersetzen.
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