Bipolartransistor 2SB1165-T

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1165-T kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1165 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des 2SB1165-Q im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB1165-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1165-S im Bereich von 140 bis 280.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1165-T-Transistor könnte nur mit "B1165-T" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1165-T ist der 2SD1722-R.Der 2SB1124 (SOT-89), 2SB1124-T (SOT-89), 2STF2360 (SOT-89), 2STN2360 (SOT-223) und BDP950 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1165-T-Transistors.Sie können den Transistor 2SB1165-T durch einen 2SB1166 oder 2SB1166-T ersetzen.