Bipolartransistor 2SB772

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB772 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB772E liegt im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB772GR im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB772O im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB772P im Bereich von 160 bis 320, die des 2SB772Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB772R im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB772Y im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB772-Transistor könnte nur mit "B772" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB772 ist der 2SD882.Sie können den Transistor 2SB772 durch einen BD132, BD186, BD188, BD190, KSB772, KSH772, MJE232, MJE235 oder MJE370 ersetzen.