Bipolartransistor 2SA900-T

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA900-T

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -18 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -20 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 1.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 360
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SA900-T

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA900-T kann eine Gleichstromverstärkung von 250 bis 360 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA900 liegt im Bereich von 90 bis 470, die des 2SA900-Q im Bereich von 90 bis 155, die des 2SA900-R im Bereich von 130 bis 210, die des 2SA900-S im Bereich von 180 bis 280, die des 2SA900-U im Bereich von 330 bis 470.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA900-T-Transistor könnte nur mit "A900-T" gekennzeichnet sein.

SMD-Version des Transistors 2SA900-T

Der 2SA1365 (SOT-23), 2SA1365-F (SOT-23), BCX69 (SOT-89) und BCX69-25 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SA900-T-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA900-T

Sie können den Transistor 2SA900-T durch einen 2SA2196, 2SA2197, 2SB1009, 2SB1009-R, 2SB1127, 2SB1127-T, 2SB1140, 2SB1140-T, 2SB1141, 2SB1141-T, 2SB772, 2SB772E, 2SB772GR, BD186, KSB772, KSB772-G, KSH772, KSH772-G, KTB772, KTB772-GR oder MJE370 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com