Bipolartransistor 2SB1009

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -32 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 82 bis 390
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1009 kann eine Gleichstromverstärkung von 82 bis 390 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1009-P liegt im Bereich von 82 bis 180, die des 2SB1009-Q im Bereich von 120 bis 270, die des 2SB1009-R im Bereich von 180 bis 390.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1009-Transistor könnte nur mit "B1009" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1009 ist der 2SD1380.Sie können den Transistor 2SB1009 durch einen 2SB1165, 2SB1166, BD132, BD188, BD190, BD234, BD234G, BD236, BD236G, MJE232, MJE235, MJE371 oder MJE371G ersetzen.