Bipolartransistor 2SA1365-F

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1365-F

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -25 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
  • Verlustleistung, max: 0.15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 500
  • Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des 2SA1365-F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1365-F kann eine Gleichstromverstärkung von 250 bis 500 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1365 liegt im Bereich von 150 bis 800, die des 2SA1365-E im Bereich von 150 bis 300, die des 2SA1365-G im Bereich von 400 bis 800.

Kennzeichnung

Der 2SA1365-F-Transistor ist als "AF" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1365-F ist der 2SC3440-F.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1365-F

Sie können den Transistor 2SA1365-F durch einen 2STR2230, BCW67, BCW67C oder FMMT549A ersetzen.
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