Bipolartransistor 2SA900-S

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA900-S

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -18 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -20 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 1.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 180 bis 280
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SA900-S

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA900-S kann eine Gleichstromverstärkung von 180 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA900 liegt im Bereich von 90 bis 470, die des 2SA900-Q im Bereich von 90 bis 155, die des 2SA900-R im Bereich von 130 bis 210, die des 2SA900-T im Bereich von 250 bis 360, die des 2SA900-U im Bereich von 330 bis 470.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA900-S-Transistor könnte nur mit "A900-S" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA900-S ist der 2SC1568-S.

SMD-Version des Transistors 2SA900-S

Der 2SA1365 (SOT-23), 2SA1365-E (SOT-23), BCX69 (SOT-89) und BCX69-25 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SA900-S-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA900-S

Sie können den Transistor 2SA900-S durch einen 2SA1120, 2SA1357, 2SA1357-Y, 2SA715, 2SA715-D, 2SA738, 2SA885, 2SA885S, 2SA985S, 2SB1009, 2SB1009-R, 2SB1127, 2SB1127-S, 2SB1140, 2SB1140-S, 2SB1141, 2SB1141-S, 2SB559, 2SB559-F, 2SB743, 2SB743-P, 2SB772, 2SB772P, 2SB772Y, BD186, KSB772, KSB772-Y, KSH772, KSH772-Y, KTB772, KTB772-Y oder MJE370 ersetzen.
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