Transistor bipolaire S8550

Caractéristiques électriques du transistor S8550

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
  • Tension collecteur-base maximum: -40 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 85 à 300
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du S8550

Le S8550 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor S8550 peut avoir un gain en courant continu de 85 à 300. Le gain en courant continu du S8550B est compris entre 85 à 160, celui du S8550C entre 120 à 200, celui du S8550D entre 160 à 300.

Complémentaire du transistor S8550

Le transistor NPN complémentaire du S8550 est le S8050.

Substituts et équivalents pour le transistor S8550

Vous pouvez remplacer le transistor S8550 par 2SB564A, KSB564A, M8550, MPS3702, MPS6535, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS8550, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, S9012 ou SS8550.
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