Transistor bipolaire S8550
Caractéristiques électriques du transistor S8550
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
- Tension collecteur-base maximum: -40 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
- Gain de courant (hfe): 85 à 300
- Fréquence de transition minimum: 150 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du S8550
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Complémentaire du transistor S8550
Substituts et équivalents pour le transistor S8550
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