Transistor bipolaire MPSW56G

Caractéristiques électriques du transistor MPSW56G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -4 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 50
  • Fréquence de transition minimum: 50 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Le MPSW56G est la version sans plomb du transistor MPSW56

Brochage du MPSW56G

Le MPSW56G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MPSW56G

Le transistor NPN complémentaire du MPSW56G est le MPSW06G.

Version SMD du transistor MPSW56G

Le 2SA1202 (SOT-89), 2SA1202-O (SOT-89), 2SA1202-Y (SOT-89), 2SA1368 (SOT-89), 2SA1368-C (SOT-89), 2SA1368-D (SOT-89), 2SA1368-E (SOT-89), 2SA1620 (SOT-23), 2SA1620-O (SOT-23), 2SA1620-Y (SOT-23), FMMTA56 (SOT-23), KST56 (SOT-23), KTA1662 (SOT-89), KTA1662O (SOT-89), KTA1662Y (SOT-89), MMBTA56 (SOT-23), PMBTA56 (SOT-23), PZTA56 (SOT-223) et SMBTA56 (SOT-23) est la version SMD du transistor MPSW56G.

Substituts et équivalents pour le transistor MPSW56G

Vous pouvez remplacer le transistor MPSW56G par 2N5401, 2N5401Y, 2SA709G, 2SA709O, 2SA709Y, BC528-10, BC528-16, BC528-25, KSA709, KSA709G, KSA709O, KSA709Y, KSP56, KSP8599, MPS4356, MPS8599, MPS8599G, MPSA56, MPSA56G, MPSW56, NTE159, PN4356, ZTX554, ZTX555, ZTX795A, ZTX953 ou ZTX955.
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