Caractéristiques électriques du transistor MPSW56G
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
Tension collecteur-base maximum: -80 V
Tension émetteur-base maximum: -4 V
Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
Dissipation de puissance maximum: 1 W
Gain de courant (hfe): 50
Fréquence de transition minimum: 50 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Le MPSW56G est la version sans plomb du transistor MPSW56
Brochage du MPSW56G
Le MPSW56G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor MPSW56G
Le transistor NPN complémentaire du MPSW56G est le MPSW06G.