Transistor bipolaire 2N5401

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
• Tension collecteur-base maximum: -160 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.6 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 240
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le 2N5401 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur. Le transistor 2N5401C (avec le suffixe "C") est la version à collecteur central du 2N5401.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du 2N5401 est le 2N5551.Le 2N5401S (SOT-23), DXT5401 (SOT-89), DZT5401 (SOT-223), KST5401 (SOT-23), MMBT5401 (SOT-23) et PMBT5401 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2N5401.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5401 par 2SA709.