Transistor bipolaire NTE159

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.8 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 50 à 250
• Fréquence de transition minimum: 250 MHz
• Figure de bruit maximum: 3 dB
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le NTE159 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du NTE159 est le NTE123AP.Le FMMTA56 (SOT-23), KST56 (SOT-23) et MMBT4356 (SOT-23) est la version SMD du transistor NTE159.Vous pouvez remplacer le transistor NTE159 par BC528, MPS4356, ZTX554 ou ZTX555.