Transistor bipolaire 2N5401Y

Caractéristiques électriques du transistor 2N5401Y

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
  • Tension collecteur-base maximum: -160 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 120 à 240
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2N5401Y

Le 2N5401Y est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N5401Y

Le transistor NPN complémentaire du 2N5401Y est le 2N5551Y.

Version SMD du transistor 2N5401Y

Le 2N5401S (SOT-23), DXT5401 (SOT-89), DZT5401 (SOT-223), KST5401 (SOT-23), MMBT5401 (SOT-23) et PMBT5401 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2N5401Y.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5401Y

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5401Y par 2N5401, 2SA709, 2SA709Y, KSA709 ou KSA709Y.
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