Transistor bipolaire ZTX555

Caractéristiques électriques du transistor ZTX555

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -140 V
  • Tension collecteur-base maximum: -160 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 50 à 300
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +200 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du ZTX555

Le ZTX555 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Version SMD du transistor ZTX555

Le FMMT555 (SOT-23) est la version SMD du transistor ZTX555.
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