Transistor bipolaire ZTX555
Caractéristiques électriques du transistor ZTX555
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -140 V
- Tension collecteur-base maximum: -160 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -1 A
- Dissipation de puissance maximum: 1 W
- Gain de courant (hfe): 50 à 300
- Fréquence de transition minimum: 100 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +200 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du ZTX555
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Version SMD du transistor ZTX555
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