Transistor bipolaire 2SA709G

Caractéristiques électriques du transistor 2SA709G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
  • Tension collecteur-base maximum: -160 V
  • Tension émetteur-base maximum: -8 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.8 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 50 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2SA709G

Le 2SA709G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SA709G peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du 2SA709 est compris entre 40 à 400, celui du 2SA709O entre 70 à 140, celui du 2SA709R entre 40 à 80, celui du 2SA709Y entre 120 à 240.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA709G peut n'être marqué que A709G.

Complémentaire du transistor 2SA709G

Le transistor NPN complémentaire du 2SA709G est le 2SC1009G.

Transistor 2SA709G en boîtier TO-92

Le KSA709G est la version TO-92 du 2SA709G.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SA709G

Vous pouvez remplacer le transistor 2SA709G par KSA709 ou KSA709G.
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