Transistor bipolaire MPSA56G
Caractéristiques électriques du transistor MPSA56G
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
- Tension collecteur-base maximum: -80 V
- Tension émetteur-base maximum: -4 V
- Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
- Gain de courant (hfe): 100
- Fréquence de transition minimum: 50 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Le MPSA56G est la version sans plomb du transistor MPSA56
Brochage du MPSA56G
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor MPSA56G
Version SMD du transistor MPSA56G
Substituts et équivalents pour le transistor MPSA56G
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