Transistor bipolaire MMBTA56

Caractéristiques électriques du transistor MMBTA56

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -4 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 100
  • Fréquence de transition minimum: 50 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23

Brochage du MMBTA56

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor MMBTA56 est marqué "2G".

Complémentaire du transistor MMBTA56

Le transistor NPN complémentaire du MMBTA56 est le MMBTA06.

Substituts et équivalents pour le transistor MMBTA56

Vous pouvez remplacer le transistor MMBTA56 par PBHV9115T, PMBTA56 ou SMBTA56.
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