Transistor bipolaire SMBTA56
Caractéristiques électriques du transistor SMBTA56
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
- Tension collecteur-base maximum: -80 V
- Tension émetteur-base maximum: -4 V
- Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.33 W
- Gain de courant (hfe): 100
- Fréquence de transition minimum: 100 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: SOT-23
Brochage du SMBTA56
Marquage
Complémentaire du transistor SMBTA56
Substituts et équivalents pour le transistor SMBTA56
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