Transistor bipolaire KSD569-O

Caractéristiques électriques du transistor KSD569-O

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular 2SD569-L transistor

Brochage du KSD569-O

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD569-O peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du KSD569 est compris entre 40 à 200, celui du KSD569-R entre 40 à 80, celui du KSD569-Y entre 100 à 200.

Complémentaire du transistor KSD569-O

Le transistor PNP complémentaire du KSD569-O est le KSB708-O.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD569-O

Vous pouvez remplacer le transistor KSD569-O par 2N6488, 2N6488G, 2SC2334, 2SC2527, 2SD1271, 2SD1271-R, 2SD569, 2SD569-L, 2SD866, 2SD866-R, 2SD866A, 2SD866A-R, BD537, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD709, BD711, BD743B, BD743C, BD799, BD801, BD809, BD909, BD911, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, BDX77, D44H11, D44H11FP, KSC2334, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030 ou MJF15030G.
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