Caractéristiques électriques du transistor 2SD866-R
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
Tension collecteur-base maximum: 130 V
Tension émetteur-base maximum: 7 V
Courant collecteur continu maximum: 7 A
Dissipation de puissance maximum: 40 W
Gain de courant (hfe): 60 à 120
Fréquence de transition minimum: 30 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SD866-R
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD866-R peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SD866 est compris entre 60 à 260, celui du 2SD866-P entre 130 à 260, celui du 2SD866-Q entre 90 à 180.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD866-R peut n'être marqué que D866-R.
Complémentaire du transistor 2SD866-R
Le transistor PNP complémentaire du 2SD866-R est le 2SB870-R.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD866-R