Transistor bipolaire BDX64B

Caractéristiques électriques du transistor BDX64B

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -12 A
  • Dissipation de puissance maximum: 117 W
  • Gain de courant (hfe): 1000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du BDX64B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDX64B

Le transistor NPN complémentaire du BDX64B est le BDX65B.

Substituts et équivalents pour le transistor BDX64B

Vous pouvez remplacer le transistor BDX64B par BDX64C, BDX66B, BDX66C, BDX68B, BDX68C, MJ11015, MJ11015G, MJ11033, MJ11033G ou MJ4032.
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