Transistor bipolaire 2SB870-R

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -130 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -7 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 120
• Fréquence de transition minimum: 30 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB870-R peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SB870 est compris entre 60 à 260, celui du 2SB870-P entre 130 à 260, celui du 2SB870-Q entre 90 à 180.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB870-R peut n'être marqué que B870-R.Le transistor NPN complémentaire du 2SB870-R est le 2SD866-R.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB870-R par 2N6491, 2N6491G, 2SA1010, 2SA1010L, 2SA1077, 2SB708, 2SB708-O, 2SB946, 2SB946-R, BD538, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, D45H11, D45H11FP, KSA1010, KSA1010O, KSB708, KSB708-O, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.